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技術(shù)資料

低溫等離子體介紹9

 

次大氣壓下輝光放電(HAPGD)產(chǎn)生低溫等離子體

    由于大氣壓輝光放電技術(shù)目前雖有報(bào)道但技術(shù)還不成熟,沒有見到可用于工業(yè)生產(chǎn)的設(shè)備。而次大氣壓輝光放電技術(shù)則已經(jīng)成熟并被應(yīng)用于工業(yè)化的生產(chǎn)中。次大氣壓輝光放電可以處理各種材料,成本低、處理的時(shí)間短、加入各種氣體的氣氛含量高、功率密度大、處理效率高??蓱?yīng)用于表面聚合、表面接枝、金屬滲氮、冶金、表面催化、化學(xué)合成及各種粉、粒、片材料的表面改性和紡織品的表面處理。次大氣壓下輝光放電的視覺特征呈現(xiàn)均勻的霧狀放電;放電時(shí)電極兩端的電壓低而功率密度大;處理紡織品和碳纖維等材料時(shí)不會(huì)出現(xiàn)擊穿和燃燒并且處理溫度接近室溫。次大氣壓輝光放電技術(shù)目前可用于低溫材料、生物材料、異型材料的表面親水處理和表面接枝、表面聚合、金屬滲氮、冶金、表面催化、化學(xué)合成等工藝。由于是在次大氣壓條件下的輝光放電,處理環(huán)境的氣氛濃度高,電子和離子的能量可達(dá)10eV以上。材料批處理的效率要高于低氣壓輝光放電10倍以上。 可處理金屬、非金屬、(碳)纖維、金屬纖維、微粒、粉末等。

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